Hybridization or monolithic integration of GaN microLEDs on Si CMOS drivers: technology review

Los microLED pueden integrarse directamente con controladores CMOS (en lugar de la habitual placa base TFT), lo que permite crear pantallas de alto PPI adecuadas para gafas AR/MR, metaversos e incluso, en algunos casos, pantallas de gran superficie. El reto tecnológico clave para ello es la hibridación y/o la integración monolítica de microleds de GaN y CMOS. No es una hazaña fácil, ya que implica la hibridación o integración heterogénea de dos sistemas de materiales diferentes: GaN y Si.

A lo largo de los años, empresas e instituciones han propuesto varias tecnologías para hibridar ambas partes. Van desde técnicas de hibridación hasta la integración monolítica completa en 3D. Estas opciones -exploradas a lo largo de la última década, desde 2011 hasta 2022- se representan en la siguiente diapositiva, que ofrece una clara categorización de las técnicas, por ejemplo, hibridación frente a integración monolítica, unión directa frente a indirecta, alineación frente a no alineación, etc.

En esta presentación, François Templier, del CEA-Leti, repasará estas técnicas y explicará los retos que plantea su fabricación en el evento especializado en microLED de TechBlick, que tendrá lugar del 30 de noviembre al 1 de diciembre www.TechBlick.com/microLEDs. Se expondrán algunos ejemplos de soluciones, como la tecnología de microtubos y los resultados recientes de la unión híbrida.

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