Hybridation ou intégration monolithique de microLEDs en GaN sur des drivers CMOS en Si

Les microLEDs peuvent être directement intégrées à des pilotes CMOS (au lieu du fond de panier TFT habituel), ce qui permet d'obtenir des affichages à haute IPP adaptés aux lunettes AR/MR, aux métavers et même, dans certains cas, aux affichages de grande surface. Le principal défi technologique à relever est l'hybridation et/ou l'intégration monolithique de microlentilles GaN et de CMOS. Ce n'est pas une mince affaire, car cela implique une hybridation ou une intégration hétérogène de deux systèmes de matériaux différents : GaN et Si.

Au fil des ans, plusieurs technologies ont été proposées par des entreprises et des institutions pour hybrider ces deux éléments. Elles vont des techniques d'hybridation à l'intégration 3D monolithique complète. Ces options - explorées au cours de la dernière décennie, de 2011 à 2022 - sont représentées dans la diapositive ci-dessous, qui offre une catégorisation claire des techniques, par exemple, hybridation vs intégration monolithique, liaison directe vs indirecte, alignement vs non-alignement, etc.

Dans cette présentation, François Templier du CEA-Leti passera en revue ces techniques et expliquera les défis liés à leur fabrication lors de l'événement spécialisé sur les microLEDs organisé par TechBlick du 30 novembre au 1er décembre www.TechBlick.com/microLEDs . Quelques exemples de solutions seront donnés, comme la technologie des microtubes et les résultats récents avec le collage hybride.

Plus d'informations : www.TechBlick.com/microLEDs [This is automatically translated from English]