Si CMOSドライバ上のGaNマイクロLEDのハイブリッド化またはモノリシック集積：テクノロジーレビュー

マイクロLEDは、通常のTFTバックプレーンの代わりにCMOSドライバーと直接統合することができ、AR/MRグラスやメタバース、場合によっては大面積ディスプレイに適した高PIディスプレイを実現することができます。そのための重要な技術的課題は、GaNマイクロリードとCMOSのハイブリッド化およびモノリシック集積化である。これは、2つの異なる材料系の異種混成や集積を伴うため、容易なことではありません。GaNとSiという2つの異なる材料系を異種混載するのだから。

これまでにも、この2つをハイブリッド化する技術は、企業や研究機関によっていくつも提案されてきました。それらは、ハイブリッド化技術から完全なモノリシック3次元集積化まで多岐にわたります。2011年から2022年までの過去10年間に検討されたこれらの選択肢は、以下のスライドに描かれており、ハイブリッド化とモノリシック集積、直接接合と間接接合、整列と非整列など、技術の明確な分類を提供している。

このプレゼンテーションでは、CEA-Leti の François Templier が、TechBlick のマイクロ LED に関する専門イベント（11 月 30 日-12 月 1 日、www.TechBlick.com/microLEDs）において、これらの技術をレビューし、その製造における課題を説明します。また、マイクロチューブ技術やハイブリッドボンディングの最近の成果など、解決策の例も紹介されます。

詳細はこちら www.TechBlick.com/microLEDs [This is automatically translated from English]